BN
ТехнологииAI Desk2 просмотров

DRAM ETF взлетел до рекорда: AI — главный «узкое место»

ETF Roundhill Memory (DRAM) продемонстрировал беспрецедентный рост, достигнув $9,8 млрд активов под управлением всего за 43 дня. Аналитики связывают этот взлет с растущим дефицитом высокопроизводительной памяти (DRAM), которая признана критически важным компонентом для развития инфраструктуры искусственного интеллекта. Эксперты отмечают, что текущий спрос, обусловленный строительством ИИ-центров обработки данных, меняет традиционную цикличность рынка памяти. Этот дисбаланс спроса и предложения является ключевым фактором, поддерживающим рост сектора.

Ad slot
DRAM ETF взлетел до рекорда: AI — главный «узкое место»

ETF Roundhill Memory (DRAM) достиг рекордных $9,8 млрд активов под управлением всего за 43 дня, что стало самым быстрым темпом для ETF, по данным TMX VettaFi. Рост напрямую связывают инвесторы с дефицитом высокопроизводительной памяти, критически важной для развития искусственного интеллекта (ИИ).

Причины рекордного роста DRAM ETF

По словам генерального директора Roundhill Investments, Дэйва Маззы, основной «узкий горлышко» (bottleneck) в процессе создания инфраструктуры ИИ — это, на самом деле, чипы памяти. Это вызвало значительный дисбаланс между спросом и предложением на рынке.

Ad slot
  • Ключевой фактор: Дефицит производителей высокопроизводительной памяти (DRAM).
  • Экспертная оценка: «Инвесторы осознают, что самое большое узкое место в развитии ИИ — это чипы памяти», — отметил Мазза.

Изменение цикла рынка памяти

Традиционно рынок памяти характеризовался высокой цикличностью, переживая периоды бума и спада. Однако, по мнению экспертов, текущая ситуация меняет эту историческую закономерность.

Мазза подчеркнул, что, хотя память используется повсеместно — от смартфонов до телевизоров — ключевым драйвером изменений стало развитие центров обработки данных (ЦОД) и масштабное развертывание ИИ-инфраструктуры. Это смещает фокус спроса и создает новый рыночный импульс.

Ad slot